安森美半導體推出最新650 V碳化矽（SiC）肖特基二極管系列產品，擴展了SiC二極管產品組合。這些二極管的尖端碳化矽技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗，並輕松實現器件並聯。

安森美半導體最新發布的650 V SiC 二極管系列提供6安培（A）到50 A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩定性、高浪湧容量和正溫度系數。

安森美半導體MOSFET業務部高級副總裁兼總經理Simon Keeton表示：「安森美半導體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現有的1200 V SiC器件相輔相成，為客戶帶來更廣泛的產品範圍。SiC技術利用寬帶隙 (WBG) 材料的獨特特性，比矽更實惠，其穩健的結構為嚴苛環境中的應用提供可靠的方案。我們的客戶將受益於這些簡化的、性能更佳、尺寸設計更小的新器件。」